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2016.03.22
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社

フェアチャイルドが担ってきたパワートレンチMOSFETに、100V MOSFET製品を新たに追加

フェアチャイルド、クラス最高性能を誇る 新世代のPowerTrench MOSFET「FDMS86181」を発表
40%低減したオン抵抗(Rdson)と、ずば抜けて低い逆回復電荷(Qrr) を同時に実現

 

USB Type-C本日(2016年3 月22日)、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略す)は、最新世代の100V耐圧 N-チャネルMOSFETの主力製品となる100V シールデットゲートPowerTrench® MOSFET「FDMS86181」を発表しました。この「FDMS86181」はフェアチャイルドの最新世代のパワートレンチMOSFET技術を用いた第一弾の製品で、効率化への飛躍的な改善と100V MOSFETを使用せざる得ない電源やモーターその他のアプリケーションにおいて電圧リンギングの低減と低EMI(電磁干渉)を実現します。

フェアチャイルドは約25年前からパワートレンチMOSFETを推し進め、それを成功させてきた先駆者です。そしてその最新世代のMOSFET製品は、顧客の電源システムにおけるほぼ全ての要求に答え、競合他社に先んじ、且つこれまでと同様にファアチャイルドをMOSFET技術開発のトップランナーと位置づけるものです。

USB Type-C“フェアチャイルドのこの新たな100V N-チャネルMOSFETは、業界をリードして来た現行のPowerTrench MOSFETを大躍進させたものです。その特性が飛躍的に改善され、且つほとんどの競合他社製品に対し、その効率から信頼性までのすべての性能項目で勝っています。”とフェアチャイルドのiFET製品部門のゼネラルマネージャーのSuman Narayanは語っています。

この新たな「FDMS86181」の最大の利点は導通損失に寄与するオン抵抗(Rdson)を40%低減し、同時にスイッチング損失を低減するゲート電荷(Qg)の最小化を実現していることです。さらに、ずば抜けて低い逆回復電荷(Qrr)はリンギングの発生源となる電圧のオーバーシュートをほとんど除去すると同時に、製品設計におけるスナバの削減もしくは除去及びEMIの低減を可能にします。この類を見ない利点により、「FDMS86181」は基板サイズと基板上の部品コスト(BOM)の双方を同時に削減します。

新製品100V パワートレンチMOSFETのサンプルおよび詳細については、PowerTrench MOSFETの製品フォルダーをご覧ください。

フェアチャイルドとフェアチャイルド・ジャパンにつきまして:

フェアチャイルドには半導体業界におけるパイオニアとしての永い歴史があり、そのパイオニア精神は、クリーンかつスマートな世界を目指した当社のビジョンの中に今日まで受け継がれています。 低~高電力ソリューションへの幅広い製品群の開発と製造に特化し、携帯機器、産業、クラウド、車載、照明ならびにコンピューター分野のエンジニアやシステム設計者の方々に卓越した設計ソリューションと感動するほどの設計体験をお届けしています。
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社は1997年2月設立。 2015年1月より、神戸 肇が代表取締役を務めると同時に米国本社への直轄体制となりました。

「Power to Amaze」に満ちたフェアチャイルドの新しいウェブサイトについては、こちらをご覧ください。

お問い合わせ

クラビスカンパニー
株式会社マクニカ

E-mail clvwebmaster@clv.macnica.co.jp
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TEL 045-470-9821
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